Tiếng Việt
Tạo vào 09.24
Loại bỏ nhiễm bẩn ma và hiệu ứng lưu giữ (B, Ti, Zr) trong chu trình làm sạch phân hủy vi sóng
Trong phân tích vô cơ vết và siêu vết bằng ICP-MS và ICP-OES, việc đạt được giới hạn phát hiện phương pháp ở mức dưới ppb và ppt có thể bảo vệ được phụ thuộc hoàn toàn vào độ sạch của bình chứa. Các nhà phân tích xử lý mẫu địa chất có nền ma trận cao, hợp kim hàng không vũ trụ hoặc gốm tiên tiến trên các nền tảng như CEM MARS 6, Milestone ETHOS và Anton Paar Multiwave thường xuyên gặp phải một vấn đề dai dẳng: nhiễm bẩn ma và hiện tượng lưu giữ ký ức đối với các nguyên tố khó phân hủy như Boron (B), Titanium (Ti), Zirconium (Zr) và Hafnium (Hf). Ngay cả sau các chu trình làm sạch bằng hơi axit nitric áp suất cao nghiêm ngặt trong lò vi sóng, mẫu trắng quy trình vẫn tiếp tục cho thấy tín hiệu nền cao bất thường, gây ảnh hưởng đến việc định lượng vết.
Những điểm chính
- Cơ chế hiệu ứng bộ nhớ:
- Tại sao làm sạch bằng hơi axit thất bại trên bình lão hóa:rửa ngược
- Giải pháp kỹ thuật:Bình TFM biến tính đẳng tĩnh mật độ cao () với bề mặt bên trong siêu bóng, không có lỗ rỗng
Cơ chế thẩm thấu ion dưới bề mặt và rửa ngược
Giai đoạn / Bước | Quá trình hóa học & vật lý | Hậu quả phân tích & ICP-MS |
1. Phân hủy nền áp suất cao | Mẫu địa chất/hợp kim được phân hủy bằng HNO 3 / HF / HCl ở nhiệt độ > 21 0 ∘ C và áp suất lên đến 60 bar | Các vùng vô định hình của polymer trương nở; các ion kim loại chịu lửa ( B , T i , Z r ) khuếch tán vào các khoảng trống trong fluoropolymer |
2. Vi xâm thực & Biến dạng cơ học | Chu kỳ nhiệt và giải phóng áp suất gây ra vi nứt và vết nứt ứng suất trên khắp thành trong | Sự giữ lại dưới bề mặt của các fluoride kim loại thủy phân và phức oxide sâu bên trong các vi vết nứt |
3. Vệ sinh bằng hơi acid định kỳ | Hơi HNO 3 tinh khiết cao, đậm đặc được chạy theo chu kỳ để khử nhiễm cụm rotor | Hơi thụ động hóa bề mặt ngoài nhưng không thể thấm sâu vào các vi lỗ mà không cần thời gian ngâm cực lâu |
4. Thực hiện mẫu trắng phân tích | Mẫu trắng mới được gia nhiệt đến nhiệt độ cao trong các chuỗi mẫu tiếp theo | Năng lượng nhiệt tăng cao thúc đẩy khuếch tán ngược các ion bị giữ lại vào mẫu trắng acid tinh khiết cao ( Nhiễm bẩn ma ) |
Thông số kỹ thuật: Lớp lót Fluoropolymer tiêu chuẩn so với CHANCEPRO Ultra-Dense TFM
Chỉ số hiệu suất | PTFE đùn Ram / đúc tiêu chuẩn | Lớp lót TFM cải tiến thông thường | Dòng TFM không xốp siêu đặc CHANCEPRO |
Công nghệ tạo hình | Ép Ram đơn trục | Nén thủy lực tiêu chuẩn | Ép đẳng tĩnh nguội đa trục (CIP) |
Tỷ lệ lỗ hổng / độ xốp bên trong | Cao ( > 0.5 % ) | Trung bình ( 0.1 % − 0.2 % ) | Độ xốp gần bằng không ( , gần mật độ lý thuyết) |
Độ nhẵn bề mặt bên trong ( ) | 0.8 − 1.2 μ m (gờ gia công) | 0.3 − 0.5 μ m (hoàn thiện tiêu chuẩn) | (Đánh bóng gương vi mô) |
Khả năng chống thấm ion | Kém (hiệu ứng lưu mẫu nhanh) | Trung bình | Vượt trội (Ngăn ngừa khuếch tán dưới bề mặt) |
Chu kỳ làm sạch để đạt mẫu trắng PPT | 3 – 5 chu kỳ vi sóng đầy đủ | 2 – 3 chu kỳ vi sóng | 1 Chu kỳ hơi axit tiêu chuẩn |
Lưu mẫu tồn dư ( ) | > 0.5 ppb trong khoảng trống đầu tiên | 0.1 − 0.3 ppb | (Mức dưới 10 ppt) |
Tương thích kích thước | Đặc thù theo thiết bị | Tiêu chuẩn OEM | Tương thích 100% với CEM, Milestone, Anton Paar |
4 Thực hành tốt nhất để ngăn ngừa hiện tượng lưu mẫu trong vật liệu chịu lửa trên ICP-MS
- Kết hợp chất tạo phức vào quy trình làm sạch bằng hơi nước:hoặc mannitol vết
- Loại bỏ các bình bị nứt hoặc mờ cho các lô siêu vết:
- Tránh sấy khô ở nhiệt độ cao kéo dài:
- Sử dụng các ống lót không có lỗ rỗng, ép đẳng tĩnh:
Bình phân hủy vi sóng TFM không xốp siêu đậm đặc CHANCEPRO
Được thiết kế chuyên biệt cho vật liệu bán dẫn độ tinh khiết cao, nghiên cứu địa chất và quy trình ICP-MS siêu vết:
- Ép đẳng tĩnh nguội (CIP) tải trọng cao:
- Hoàn thiện vi mô bề mặt siêu gương:
- Hiệu suất làm sạch nhanh:
- Tương thích trực tiếp với OEM:CEM EasyPrep/MARSXpress, Milestone SK-15/MAXI 44 và Anton Paar 16HF100/8NXF100
Liên hệ với chúng tôi
Liên hệ với chúng tôi
Kết nối Đổi mới, Nắm bắt Xu hướng.
Bằng cách đăng ký nhận bản tin của chúng tôi, bạn đồng ý với Điều khoản Dịch vụ và Chính sách Bảo mật của chúng tôi.
Liên Hệ