اردو
سائنچ کی 09.24
مائیکرو ویو ڈائجیشن کلیننگ سائیکلوں میں گھوسٹ آلودگی اور میموری اثرات (B، Ti، Zr) کا خاتمہ
آئی سی پی-ایم ایس اور آئی سی پی-او ای ایس کا استعمال کرتے ہوئے ٹریس اور الٹرا ٹریس غیر نامیاتی تجزیے میں، قابل دفاع سب-پی پی بی اور پی پی ٹی سطح کے طریقہ کار کی detection limits کا حصول مکمل طور پر برتن کی صفائی پر منحصر ہے۔ تجزیہ کار جو اعلیٰ میٹرکس والے ارضیاتی نمونوں، ایرو اسپیس مرکب دھاتوں، یا جدید سیرامکس کو CEM MARS 6، Milestone ETHOS، اور Anton Paar Multiwave جیسے پلیٹ فارمز پر چلاتے ہیں، اکثر ایک مستقل مسئلے کا سامنا کرتے ہیں: بورون (B)، ٹائٹینیم (Ti)، زرکونیم (Zr)، اور ہافنیم (Hf) جیسے ریفریکٹری عناصر کے لیے بھوت آلودگی اور میموری کیری اوور۔ سخت ہائی پریشر نائٹرک ایسڈ مائیکرو ویو بھاپ صفائی کے چکروں کے بعد بھی، طریقہ کار کے بلینکس بلند، بے ترتیب پس منظر کے سگنلز ظاہر کرتے رہتے ہیں جو ٹریس مقداری تعین کو متاثر کرتے ہیں۔
اہم نکات
- The Memory Effect Mechanism:
- پرانی ویسلز پر ایسڈ اسٹیم کلیننگ کیوں ناکام ہوتی ہے: ریورس لیچنگ
- انجینئرنگ حل: ہائی-ڈینسٹی آئسوسٹیٹک موڈیفائیڈ TFM ویسلز () الٹرا پالش شدہ، بغیر سوراخ والی اندرونی سطحوں کے ساتھ
زیرِ سطح آئن کی دراندازی اور ریورس لیچنگ میکانزم
مرحلہ / قدم | کیمیائی اور طبعی عمل | تجزیاتی اور ICP-MS نتیجہ |
1. ہائی پریشر میٹرکس ڈائجیشن | جیولوجیکل/الائے نمونے ہضم کیے گئے HNO 3 / HF / HCl درجہ حرارت پر > 21 0 ∘ C اور دباؤ 60 بار تک | پولیمر کے بے ساختہ علاقے پھول جاتے ہیں؛ ریفریکٹری دھاتی آئنز ( B , T i , Z r ) فلوروپولیمر کے خلا میں پھیل جاتے ہیں |
2. مائیکرو کیویٹیشن اور مکینیکل تناؤ | تھرمل سائیکلنگ اور دباؤ کے اخراج سے اندرونی دیوار پر مائیکرو کریزنگ اور تناؤ کی دراڑیں پیدا ہوتی ہیں | ہائیڈرولائزڈ دھاتی فلورائیڈز اور آکسائیڈ کمپلیکسز کا مائیکرو دراڑوں میں گہرائی میں زیرِ سطح پھنس جانا |
3. معمول کی تیزابی بھاپ سے صفائی | اعلیٰ خالصتاً مرتکز HNO 3 روٹر اسمبلی کو آلودگی سے پاک کرنے کے لیے بھاپ کا چکر چلایا جاتا ہے | بھاپ بیرونی سطح کو غیر فعال کر دیتی ہے لیکن انتہائی طویل بھگونے کے اوقات کے بغیر گہرے مائیکرو سوراخوں میں داخل نہیں ہو پاتی |
4. تجزیاتی بلینک کا اجرا | بعد کے نمونے کے سلسلوں کے دوران تازہ بلینک کو بلند درجہ حرارت پر گرم کیا جاتا ہے | بلند تھرمل توانائی پھنسے ہوئے آئنوں کی معکوس انتشار کو اعلیٰ خالصتاً تیزابی بلینک میں دھکیل دیتی ہے ( بھوت آلودگی ) |
تکنیکی خصوصیات: معیاری فلوروپولیمر لائنرز بمقابلہ CHANCEPRO الٹرا-ڈینس TFM
کارکردگی کا پیمانہ | معیاری ریم-ایکسٹروڈڈ / مولڈڈ PTFE | روایتی تبدیل شدہ TFM لائنرز | CHANCEPRO الٹرا-ڈینس نان-پورس TFM سیریز |
فارمنگ ٹیکنالوجی | یونیا ایکسیل ریم پریسنگ | معیاری ہائیڈرولک کمپریشن | ملٹی-ایکسس کولڈ آئسوسٹیٹک پریسنگ (CIP) |
اندرونی خلا / غیر مسامیت کا تناسب | زیادہ ( > 0.5 % ) | معتدل ( 0.1 % − 0.2 % ) | تقریباً صفر مسامیت ( ، تقریباً نظریاتی کثافت) |
اندرونی سطح کی تکمیل ( ) | 0.8 − 1.2 μ m (مشین شدہ ابھار) | 0.3 − 0.5 μ m (معیاری فنش) | (آئینہ مائیکرو پالش شدہ) |
آئن انفلٹریشن مزاحمت | ناقص (تیز میموری اثر) | معتدل | اعلیٰ (ذیلی سطحی پھیلاؤ کو روکتا ہے) |
پی پی ٹی بلینک تک پہنچنے کے لیے صفائی کے چکر | 3 – 5 مکمل مائیکرو ویو چکر | 2 – 3 مائیکرو ویو چکر | 1 معیاری ایسڈ اسٹیم سائیکل |
بقایا کیری اوور ( ) | > 0.5 ppb پہلے خالی میں | 0.1 − 0.3 ppb | (ذیلی 10 پی پی ٹی سطح) |
جہتی مطابقت | آلے کے لیے مخصوص | OEM معیار | CEM، Milestone، Anton Paar کے لیے 100% موزوں |
ICP-MS میں ریفریکٹری میموری کیری اوور کو روکنے کے 4 بہترین طریقے
- اسٹیم کلیننگ میں کمپلیکسنگ ایجنٹس شامل کریں: یا ٹری مینٹول
- الٹرا ٹریس بیچز کے لیے کریزڈ یا فراسٹڈ برتنوں کا استعمال بند کریں:
- طویل مدتی اعلی درجہ حرارت خشک بیکنگ سے گریز کریں:
- آئسوسٹیٹکلی پریسڈ، پور فری لائنرز استعمال کریں:
CHANCEPRO الٹرا-ڈینس نان-پورس TFM مائیکرو ویو ڈائجسشن ویسلز
خاص طور پر اعلیٰ پاکیزگی والے سیمی کنڈکٹر مواد، ارضیاتی تحقیق، اور الٹرا ٹریس ICP-MS ورک فلو کے لیے انجینئرڈ:
- ہائی ٹنیج کولڈ آئسوسٹیٹک پریسنگ (CIP):
- سپر-مرر سطح مائیکرو-فنشنگ:
- تیز صفائی کی کارکردگی:
- براہ راست OEM تبادلہ پذیری: CEM EasyPrep/MARSXpress، Milestone SK-15/MAXI 44، اور Anton Paar 16HF100/8NXF100
رابطہ کریں
رابطہ کریں
روابط کو جوڑنا، رجحانات سے فائدہ اٹھانا۔
ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کر کے آپ ہماری سروس کی شرائط اور رازداری کی پالیسی سے اتفاق کرتے ہیں۔
ہم سے رابطہ کریں