Imeundwa 09.24

Kuondoa Uchafuzi wa Mzuka na Athari za Kumbukumbu (B, Ti, Zr) katika Mizunguko ya Kusafisha kwa Mmeng'enyo wa Microwave

Katika uchanganuzi wa ishara na ishara za hali ya juu sana wa isokaboni kwa kutumia ICP-MS na ICP-OES, kufikia mipaka ya utambuzi wa mbinu inayoweza kuteteleka ya kiwango cha chini ya ppb na ppt kunategemea kabisa usafi wa vyombo. Wachanganuzi wanaofanya sampuli za kijiolojia zenye matriki ya juu, aloi za anga, au kauri za hali ya juu kwenye majukwaa kama CEM MARS 6, Milestone ETHOS, na Anton Paar Multiwave mara nyingi hukutana na tatizo linaloendelea: ​uchafuzi wa kivuli na uhamishaji wa kumbukumbu kwa vipengele vinavyostahimili joto kama Boroni (B), Titani (Ti), Zikoni (Zr), na Hafni (Hf)​. Hata baada ya mizunguko mikali ya kusafisha kwa mvuke wa asidi ya nitriki kwa shinikizo la juu kwenye microwave, nafasi tupu za kiutaratibu zinaendelea kuonyesha ishara za chinichini zilizoinuka na zisizo thabiti zinazodhoofisha upimaji wa kiwango cha athari.

Uchafuzi wa mizuka wa elementi zinazostahimili joto B Ti Zr zilizonaswa ndani ya chombo cha mmeng'enyo wa microwave wakati wa uchambuzi wa athari za ICP-MS

Mambo Muhimu ya Kuzingatia

The Memory Effect Mechanism:
Kwa Nini Usafishaji wa Mvuke wa Asidi Unashindwa kwenye Vyombo Vilivyochakaa:uchujaji wa kinyume
Suluhisho la Uhandisi:Vyombo vya TFM vilivyobadilishwa vya isostatic vya msongamano wa juu () vyenye nyuso za ndani zilizong'arishwa sana, zisizo na matundu

Upenyaji wa Ioni za Chini ya Uso na Utaratibu wa Uchujaji wa Kinyume

Hatua / Hatua	Mchakato wa Kemikali na Kimwili	Matokeo ya Uchanganuzi na ICP-MS
1. Mmeng'enyo wa Matrix ya Shinikizo la Juu	Sampuli za kijiolojia/aloi zilizomeng'enywa kwa HNO 3 / HF / HCl kwa halijoto > 21 0 ∘ C na shinikizo hadi bar 60	Kanda za amofasi za polima huvimba; ioni za metali za kinzani ( B , T i , Z r ) huenea katika nafasi tupu za floropolima
2. Mikro-Kavitesheni na Mkazo wa Kimakanika	Mzunguko wa joto na kutolewa kwa shinikizo husababisha mikro-crazing na nyufa za mkazo kwenye ukuta wa ndani	Unasaji wa chini ya uso wa floridi za metali zilizohidroliswa na kompliksi za oksidi ndani kabisa ya nyufa ndogo
3. Usafishaji wa Kawaida wa Asidi kwa Mvuke	Asidi iliyokolea ya hali ya juu HNO 3 mzunguko wa mvuke unaendeshwa kusafisha mkusanyiko wa rota	Mvuke hupitisha uso wa nje lakini hushindwa kupenya kwenye mikro-pores za kina bila muda mrefu wa kuloweka
4. Utekelezaji wa Blank ya Uchanganuzi	Blank mpya iliyoendeshwa ikiwa moto hadi joto la juu wakati wa mfululizo wa sampuli zinazofuata	Nishati ya joto iliyoinuliwa husababisha mgawanyiko wa kinyume wa ioni zilizonaswa kwenye blank ya asidi ya hali ya juu ( Uchafuzi wa Mzuka )

Mchoro wa sehemu ya msalaba wa upenyezaji wa ioni chini ya uso na mfumo wa uchujaji wa kinyume katika ukuta wa chombo cha mmeng'enyo wa microwave cha fluoropolymer

Vipimo vya Kiufundi: Vitambaa vya Kawaida vya Fluoropolymer dhidi ya CHANCEPRO Ultra-Dense TFM

Kipimo cha Utendaji	PTFE ya Kawaida Iliyotolewa kwa Ram / Iliyoumbwa	Vitambaa vya Kawaida vya TFM Vilivyobadilishwa	Mfululizo wa CHANCEPRO Ultra-Dense Non-Porous TFM
Teknolojia ya Uundaji	Ukandamizaji wa Ram wa Mwelekeo Mmoja	Ukandamizaji wa Kawaida wa Hydraulic	Ukandamizaji wa Cold Isostatic wa Mwelekeo Mwingi (CIP)
Sehemu ya Nafasi za Ndani / Porosity	Juu ( > 0.5 % )	Wastani ( 0.1 % − 0.2 % )	Karibu Sifuri ya Porosity ( , Karibu Msongamano wa Kinadharia)
Umbo la Uso wa Ndani ( )	0.8 − 1.2 μ m (matuta yaliyochongwa)	0.3 − 0.5 μ m (umaliziaji wa kawaida)	(Imepolishwa kwa Kioo Kidogo)
Upinzani wa Upenyezaji wa Ioni	Dhaifu (athari ya kumbukumbu ya haraka)	Wastani	Bora (Inazuia Usambazaji wa Chini ya Uso)
Mizunguko ya Usafishaji Kufikia PPT Blank	Mizunguko 3 – 5 kamili ya microwave	Mizunguko 2 – 3 ya microwave	Mzunguko 1 wa Kawaida wa Mvuke wa Asidi
Mabaki ya Uhamishaji ( )	> 0.5 ppb katika nafasi ya kwanza tupu	0.1 − 0.3 ppb	(Kiwango cha Chini ya 10 ppt)
Upatanifu wa Vipimo	Maalum kwa chombo	Kiwango cha OEM	100% Inafaa kwa CEM, Milestone, Anton Paar

Ulinganisho wa mjengo wa kawaida wa PTFE wenye vinyweleo dhidi ya mjengo wa chombo cha mmeng'enyo wa microwave cha CHANCEPRO TFM usio na vinyweleo na wenye msongamano mkubwa

Mbinu 4 Bora za Kuzuia Uhamishaji wa Kumbukumbu ya Refractory katika ICP-MS

Weka Mawakala wa Kuchanganya katika Usafishaji wa Mvuke: au mannitol ya kufuatilia
Ondoa Vyombo Vilivyopasuka au Vyenye Ukungu kwa Makundi ya Ultra-Trace:
Epuka Kuoka Kwa Muda Mrefu kwa Joto la Juu:
Tumia Vitambaa Vilivyoshinikizwa Isostatically, Visivyo na Pori:

Vyombo vya Usagishaji wa Microwave vya TFM vya CHANCEPRO Ultra-Dense Non-Porous

Imeundwa mahsusi kwa ajili ya vifaa vya semiconductor vya ubora wa juu, utafiti wa kijiolojia, na mtiririko wa kazi wa ICP-MS wa ufuatiliaji wa hali ya juu:

Ukandamizaji wa Baridi wa Isostatic wa Tani Nyingi (CIP):
Umbo la Kioo la Juu la Kumalizia kwa Micro:
Utendaji wa Usafishaji wa Haraka:
Ubadilishanaji wa Moja kwa Moja wa OEM:CEM EasyPrep/MARSXpress, Milestone SK-15/MAXI 44, na Anton Paar 16HF100/8NXF100

Wasiliana nasi

Kuunganisha Ubunifu, Kukumbatia Mitindo.

Kwa kujisajili kwenye jarida letu unakubali Masharti ya Huduma na Sera ya Faragha yetu.

Wasiliana Nasi