
단계 / 공정 | 화학적 및 물리적 과정 | 분석 및 ICP-MS 결과 |
1. 고압 매트릭스 소화 | 소화된 지질/합금 샘플 HNO 3 / HF / HCl 온도에서 > 21 0 ∘ C 및 최대 60 bar의 압력 | 폴리머 비정질 영역이 팽윤되고, 내화성 금속 이온( B , T i , Z r )이 플루오로폴리머 공극 공간으로 확산됨 |
2. 미세 공동화 및 기계적 변형 | 열 순환과 압력 해제로 내벽 전반에 미세 크레이징과 응력 균열이 발생함 | 가수분해된 금속 플루오라이드와 산화물 착물이 미세 균열 깊숙이 표면 아래에 갇힘 |
3. 일상적인 산 증기 세정 | 고순도 농축 HNO 3 증기 사이클을 실행하여 로터 어셈블리를 오염 제거함 | 증기는 외부 표면을 부동태화하지만 극한의 침지 시간 없이는 깊은 미세 기공까지 침투하지 못함 |
4. 분석 블랭크 실행 | 후속 시료 시퀀스 동안 고온으로 가열된 신선한 블랭크 실행 | 상승된 열 에너지가 역확산 을 유도하여 갇힌 이온이 고순도 산 블랭크로 이동함 ( 고스트 오염 ) |
성능 지표 | 표준 램 압출 / 성형 PTFE | 기존 개질 TFM 라이너 | CHANCEPRO 초고밀도 비다공성 TFM 시리즈 |
성형 기술 | 단축 램 프레싱 | 표준 유압 압축 | 다축 냉간 정수압 프레싱 (CIP) |
내부 공극 / 다공성 비율 | 높음 ( > 0.5 % ) | 보통 ( 0.1 % − 0.2 % ) | 거의 제로에 가까운 다공성 ( , 이론 밀도에 근접) |
내부 표면 조도 ( ) | 0.8 − 1.2 μ m (가공된 돌기) | 0.3 − 0.5 μ m (표준 마감) | (거울 미세 연마) |
이온 침투 저항 | 불량 (급속 메모리 효과) | 중간 | 우수 (하부 확산 방지) |
PPT 블랭크에 도달하기 위한 세척 주기 | 3 – 5회 전체 마이크로웨이브 주기 | 2 – 3회 마이크로웨이브 주기 | 1 표준 산 스팀 주기 |
잔여 잔여물 ( ) | > 0.5 ppb 첫 번째 블랭크에서 | 0.1 − 0.3 ppb | (Sub-10 ppt 수준) |
치수 호환성 | 기기 특정 | OEM 표준 | CEM, Milestone, Anton Paar에 100% 적합 |